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文献
J-GLOBAL ID：200902205899603381
整理番号：04A0569644
電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析
Analysis of Stressed-Gate SiO2 Films with Electron Injection by Conductive Atomic Force Microscopy
世古明義
(名古屋大 大学院工学研究科)
,
渡辺行彦
(豊田中研)
,
近藤博基
(名古屋大 大学院工学研究科)
,
酒井朗
(名古屋大 大学院工学研究科)
,
財満鎮明
(名古屋大 大学院工学研究科)
,
安田幸夫
(名古屋大 大学院工学研究科)
資料名：
電子情報通信学会論文誌 C
(IEICE Transactions on Electronics (Japanese Edition))
巻： J87-C 号： 8 ページ： 616-624 発行年： 2004年08月01日
JST資料番号： S0623C ISSN： 1345-2827 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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