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文献
J-GLOBAL ID：200902212381308196
整理番号：09A0064482
ヒ素を注入したZnOにおけるRaman活性Froehlich光学フォノンモード
Raman-active Froehlich optical phonon mode in arsenic implanted ZnO
YE J. D.
(Inst. of Microelectronics, A*STAR (Agency for Sci., Technol. and Research), 11 Sci. Park Road, Singapore Sci. Park ...)
,
TRIPATHY S.
(Inst. of Materials Res. and Engineering, A*STAR (Agency for Sci., Technol. and Research), 3 Res. Link, Singapore ...)
,
REN Fang-fang
(Inst. of Microelectronics, A*STAR (Agency for Sci., Technol. and Research), 11 Sci. Park Road, Singapore Sci. Park ...)
,
SUN X. W.
(Inst. of Microelectronics, A*STAR (Agency for Sci., Technol. and Research), 11 Sci. Park Road, Singapore Sci. Park ...)
,
LO G. Q.
(Inst. of Microelectronics, A*STAR (Agency for Sci., Technol. and Research), 11 Sci. Park Road, Singapore Sci. Park ...)
,
TEO K. L.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, Singapore 117576, Singapore and Data ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 94 号： 1 ページ： 011913 発行年： 2009年01月05日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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