文献
J-GLOBAL ID:200902212406199192
整理番号:04A0094336
真正2F2/ビットセルサイズ,10MB/sプログラミングスループットの90nmノードマルチレベルAG-ANDタイプフラッシュメモリ
90-nm-node multi-level AG-AND type flash memory with cell size of true 2F2/bit and programming throughput of 10MB/s
著者 (9件):
SASAGO Y
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
KURATA H
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
ARIGANE T
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
OTSUGA K
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
KOBAYASHI T
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
IKEDA Y
(Renesas Technol. Corp., Tokyo, JPN)
,
FUKUMURA T
(Renesas Technol. Corp., Tokyo, JPN)
,
NARUMI S
(Renesas Technol. Corp., Tokyo, JPN)
,
SATO A
(Renesas Technol. Corp., Tokyo, JPN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
2003
ページ:
823-826
発行年:
2003年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)