文献
J-GLOBAL ID:200902212416524903
整理番号:06A0693677
反応性のイオン支援によるマグネトロンスパッタリング蒸着による窒化タンタルに及ぼす加工変数の効果
Effects of Processing Variables on Tantalum Nitride by Reactive-Ion-Assisted Magnetron Sputtering Deposition
著者 (3件):
WEI Chao-Tsang
(National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
WEI Chao-Tsang
(Industrial Technol. Res. Inst., Chutung, TWN)
,
SHIEH Han-Ping D.
(National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
45
号:
8A
ページ:
6405-6410
発行年:
2006年08月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)