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文献
J-GLOBAL ID：200902212438452337
整理番号：09A0458489
チャネルのホットキャリアストレスを与えた後の原子層堆積HfSiONゲート金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタに及ぼすHf濃度の影響
The Influence of Hf-Composition on Atomic Layer Deposition HfSiON Gated Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors after Channel-Hot-Carrier Stress
CHEN Shuang-Yuan
(National Taipei Univ. Technol., Taipei, TWN)
,
CHEN Hung-Wen
(National Taipei Univ. Technol., Taipei, TWN)
,
LIU Chuan-Hsi
(National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN)
,
CHENG Li-Wei
(United Microelectronics Corp., Hsinchu, TWN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48 号： 4,Issue 2 ページ： 04C009.1-04C009.4 発行年： 2009年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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