文献
J-GLOBAL ID:200902212438611222
整理番号:08A0854896
MOCVDによるSi(111)基板への亀裂がないGaNエピタキシャル成長する為のバッファの最適化
Buffer optimization for crack-free GaN epitaxial layers grown on Si(111) substrate by MOCVD
著者 (5件):
ARSLAN Engin
(Bilkent Univ., Ankara, TUR)
,
OZTURK Mustafa K
(Gazi Univ., Ankara, TUR)
,
TEKE Ali
(Balikesir Univ., Balikesir, TUR)
,
OZCELIK Suleyman
(Gazi Univ., Ankara, TUR)
,
OZBAY Ekmel
(Bilkent Univ., Ankara, TUR)
資料名:
Journal of Physics. D. Applied Physics
(Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻:
41
号:
15
ページ:
155317,1-10
発行年:
2008年08月07日
JST資料番号:
B0092B
ISSN:
0022-3727
CODEN:
JPAPBE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)