文献
J-GLOBAL ID:200902212461726045
整理番号:03A0612135
化学蒸着によりホモエピタキシャル成長させ酸素を吸着させたNドープダイヤモンド(111)表面からの大面積電子放出
Broad area electron emission from oxygen absorbed homoepitaxially grown nitrogen (N)-doped chemical vapor deposited diamond (111) surface
著者 (6件):
YAMAGUCHI H
(International Christian Univ. (ICU), Tokyo, JPN)
,
MINE T
(International Christian Univ. (ICU), Tokyo, JPN)
,
SUZUKI Y
(International Christian Univ. (ICU), Tokyo, JPN)
,
OKANO K
(International Christian Univ. (ICU), Tokyo, JPN)
,
YAMADA T
(Aoyama-Gakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
SAWABE A
(Aoyama-Gakuin Univ., Tokyo, JPN)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
21
号:
4
ページ:
1730-1733
発行年:
2003年07月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)