文献
J-GLOBAL ID:200902212473340703
整理番号:07A0626227
炭素ドーピング超低κ誘電体層のプラズマエッチングに関するC4F8/O2ガス比率を変えた研究
Investigation of varying C4F8/O2 gas ratios on the plasma etching of carbon doped ultra-low-k dielectric layers
著者 (2件):
REID I
(Dublin City Univ., Dublin, IRL)
,
HUGHES G
(Dublin City Univ., Dublin, IRL)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
22
号:
6
ページ:
636-640
発行年:
2007年06月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)