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文献
J-GLOBAL ID：200902212479975123
整理番号：05A1007139
結晶性シリコン表面の不動態化品質に及ぼす非晶質炭化けい素層厚の効果
Effect of amorphous silicon carbide layer thickness on the passivation quality of crystalline silicon surface
FERRE R.
(Departament d’Enginyeria Electronica, Univ. Politecnica de Catalunya, Gran Capita s/n, Modul C4, 08034 Barcelona, ESP)
,
MARTIN I.
(Departament d’Enginyeria Electronica, Univ. Politecnica de Catalunya, Gran Capita s/n, Modul C4, 08034 Barcelona, ESP)
,
VETTER M.
(Departament d’Enginyeria Electronica, Univ. Politecnica de Catalunya, Gran Capita s/n, Modul C4, 08034 Barcelona, ESP)
,
GARIN M.
(Departament d’Enginyeria Electronica, Univ. Politecnica de Catalunya, Gran Capita s/n, Modul C4, 08034 Barcelona, ESP)
,
ALCUBILLA R.
(Departament d’Enginyeria Electronica, Univ. Politecnica de Catalunya, Gran Capita s/n, Modul C4, 08034 Barcelona, ESP)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 87 号： 20 ページ： 202109-202109-3 発行年： 2005年11月14日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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