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文献
J-GLOBAL ID:200902214184493669   整理番号:07A1006241

SiC(0001)上にエピタキシャル成長したSiON超薄膜の電子状態

著者 (12件):
白澤徹郎
(東大 物性研)
林賢二郎
(九大)
今井彩子
(千葉大 大学院)
角田治哉
(千葉大 大学院)
馬渡健児
(東北大 大学院)
谷治光一郎
(東大 物性研)
中辻寛
(東大 物性研)
水野清義
(九大)
坂本一之
(千葉大 大学院)
田中悟
(九大 工)
小森文夫
(東大 物性研)
栃原浩
(九大)

資料名:
日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)

巻: 62  号: 2 第4分冊  ページ: 936  発行年: 2007年08月21日 
JST資料番号: S0671B  ISSN: 1342-8349  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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