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文献
J-GLOBAL ID:200902218925659590   整理番号:06A0575308

Conductive-AFMによるゲート絶縁膜劣化現象のナノスケール評価

Nano-Scale Evaluations for Degradation Phenomena in Gate Insulators Using Conductive-AFM
著者 (6件):
財満鎭明
(名古屋大)
世古明義
(名古屋大)
渡辺行彦
(豊田中研)
坂下満男
(名古屋大)
酒井朗
(名古屋大)
小川正毅
(名古屋大)

資料名:
半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集  (Proceedings of the Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology)

巻: 70th  ページ: 11-14  発行年: 2006年07月06日 
JST資料番号: F0108B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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