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文献
J-GLOBAL ID：200902241917647231
整理番号：08A1196342
有機薄膜トランジスタ向け塗布型ゲート絶縁膜材料の開発とトランジスタ特性の評価
Development of Silsesquioxane-type Gate Insulating Films and Properties of Its-based Organic Thin Film Transistors
村上修一
(大阪府産業技総研)
,
濱田崇
(科学技術振興機構)
,
戸松賢治
(大阪府大 大学院工学研究科)
,
上田祐輔
(大阪府大 大学院工学研究科)
,
山崎沙織
(シチズンホールディングス)
,
永瀬隆
(大阪府大 大学院工学研究科)
,
小林隆史
(大阪府大 大学院工学研究科)
,
松川公洋
(大阪市工研)
,
内藤裕義
(大阪府大 大学院工学研究科)
資料名：
大阪府立産業技術総合研究所報告
号： 22 ページ： 79-84 発行年： 2008年09月30日
JST資料番号： F0173B ISSN： 1343-3555 CODEN： KEHOFI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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