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J-GLOBAL ID:200902246817499164   整理番号:07A0708150

Ni/InAs/Ni量子ドットを基本とするスピンバルブにおけるトンネル磁気抵抗の電場による制御

Electric-field control of tunneling magnetoresistance effect in a Ni/InAs/Ni quantum-dot spin valve
著者 (10件):
HAMAYA K.
(Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, JPN)
KITABATAKE M.
(Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, JPN)
SHIBATA K.
(Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, JPN)
JUNG M.
(Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, JPN)
KAWAMURA M.
(Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, JPN)
HIRAKAWA K.
(Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, JPN)
MACHIDA T.
(Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, JPN)
TANIYAMA T.
(Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN)
ISHIDA S.
(Res. Center for Advanced Sci. and Technol., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, Japan and Inst. ...)
ARAKAWA Y.
(Res. Center for Advanced Sci. and Technol., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8505, Japan and Inst. ...)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 91  号:ページ: 022107-022107-3  発行年: 2007年07月09日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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