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文献
J-GLOBAL ID：200902267670015805
整理番号：03A0176744
半導体プロセスにおけるオゾンの利用 オゾンを利用したシリコン酸化膜形成 電気的特性の高い極薄シリコン酸化膜の低温(400°C)形成
一村信吾
(産業技術総合研)
,
野中秀彦
(産業技術総合研)
資料名：
クリーンテクノロジー
(Clean Technology)
巻： 13 号： 3 ページ： 16-19 発行年： 2003年03月01日
JST資料番号： L1138A ISSN： 0917-1819 CODEN： KTEKER 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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