文献
J-GLOBAL ID:200902271697186633
整理番号:09A0458572
金属/絶縁体/AlGaNと金属/絶縁体/AlGaN/GaN構造の静電容量-電圧-温度挙動のシミュレーション
Simulations of Capacitance-Voltage-Temperature Behavior of Metal/Insulator/AlGaN and Metal/Insulator/AlGaN/GaN Structures
著者 (4件):
MICZEK Marcin
(Silesian Univ. Technol., Gliwice, POL)
,
ADAMOWICZ Boguslawa
(Silesian Univ. Technol., Gliwice, POL)
,
MIZUE Chihoko
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
HASHIZUME Tamotsu
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
48
号:
4,Issue 2
ページ:
04C092.1-04C092.6
発行年:
2009年04月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)