文献
J-GLOBAL ID:200902272303624211
整理番号:04A0447877
高速/高密度埋込型メモリー用のW/多結晶-Siから成る低界面抵抗のW-多金属ゲート
W-Polymetal Gate with Low W/Poly-Si Interface Resistance for High-Speed/High-Density Embedded Memory
著者 (6件):
YAMASHITA T
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
NISHIDA Y
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
HAYASHI K
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
EIMORI T
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
INUISHI M
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
OHJI Y
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
43
号:
4B
ページ:
1799-1803
発行年:
2004年04月30日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)