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文献
J-GLOBAL ID：200902279875235075
整理番号：04A0656885
ディープトレンチアイソレーションプロセスによる600V級,逆阻止IGBT(TI-RB-IGBT)に対する超小型アイソレーション面積
An ultra-small isolation area for 600V class Reverse Blocking IGBT with Deep Trench Isolation process (TI-RB-IGBT)
TOKUDA N
(Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, JPN)
,
KANEDA M
(Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, JPN)
,
MINATO T
(Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, JPN)
資料名：
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 16th ページ： 129-132 発行年： 2004年
JST資料番号： W1300A ISSN： 1943-653X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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