文献
J-GLOBAL ID:200902285227492127
整理番号:08A0752850
前駆体としてジエチルアルミニウムエトキシドを用いたGaN上への酸化アルミニウム層の堆積
Deposition of aluminum oxide layer on GaN using diethyl aluminum ethoxide as a precursor
著者 (6件):
UESUGI Tsutomu
(Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN)
,
KACHI Tetsu
(Toyota Central Res. and Dev. Laboratories, Nagakute 480-1192, JPN)
,
SUGIMOTO Masahiro
(Electronics Engineering Div., Toyota Motor Corp., Toyota 470-0309, JPN)
,
MATSUYAMA Tetsuya
(Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN)
,
MIZUE Chihoko
(Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN)
,
HASHIZUME Tamotsu
(Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido Univ., Sapporo 060-8628, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
104
号:
1
ページ:
016103
発行年:
2008年07月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)