文献
J-GLOBAL ID:200902289861843825
整理番号:08A0657923
Si基板上にエピタキシャル成長させた垂直整列GaP/GaAsコア-多重シェルナノワイヤ
Vertically Aligned GaP/GaAs Core-Multishell Nanowires Epitaxially Grown on Si Substrate
著者 (4件):
ZHANG Guoqiang
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
TATENO Kouta
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
SOGAWA Tetsuomi
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
NAKANO Hidetoshi
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
1
号:
6
ページ:
064003.1-064003.3
発行年:
2008年06月25日
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)