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文献
J-GLOBAL ID：200902294321532450
整理番号：05A0497658
有機シリコンガスと高濃度オゾンガスの交互供給による300°C以下でのSiO2絶縁膜作成
SiO2 Dielectric Film Formation by Alternate Supply of Organic Silicon Gas and Highly Concentrated Ozone Gas at Below 300°C
西口哲也
(明電舎)
,
野寄剛示
(明電舎)
,
森川良樹
(明電舎)
,
花倉満
(明電舎)
,
野中秀彦
(産業技術総合研)
,
一村信吾
(産業技術総合研)
資料名：
真空
(Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 48 号： 5 ページ： 313-316 発行年： 2005年05月20日
JST資料番号： G0194A ISSN： 0559-8516 CODEN： SHINA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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