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文献
J-GLOBAL ID：200902297062197280
整理番号：06A0819572
エピタキシャルBiTiO3高kゲート絶縁物を持つルブレン単結晶電界効果トランジスタ
Rubrene single crystal field-effect transistor with epitaxial BaTiO3 high-k gate insulator
HIROSHIBA Nobuya
(Dep. of Physics, Graduate School of Sci., Tohoku University-CREST-JST, 6-3 Aoba Aramaki Aoba-ku, Sendai, Miyagi ...)
,
KUMASHIRO Ryotaro
(Dep. of Physics, Graduate School of Sci., Tohoku University-CREST-JST, 6-3 Aoba Aramaki Aoba-ku, Sendai, Miyagi ...)
,
TANIGAKI Katsumi
(Dep. of Physics, Graduate School of Sci., Tohoku University-CREST-JST, 6-3 Aoba Aramaki Aoba-ku, Sendai, Miyagi ...)
,
TAKENOBU Taishi
(Inst. for Material Res., Tohoku University-CREST-JST, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
,
IWASA Yoshihiro
(Inst. for Material Res., Tohoku University-CREST-JST, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
,
KOTANI Kenta
(Inst. of Laser Engineering, Osaka Univ., 2-6 Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, JPN)
,
KAWAYAMA Iwao
(Inst. of Laser Engineering, Osaka Univ., 2-6 Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, JPN)
,
TONOUCHI Masayoshi
(Inst. of Laser Engineering, Osaka Univ., 2-6 Yamadaoka, Suita, Osaka 565-0871, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 89 号： 15 ページ： 152110-152110-3 発行年： 2006年10月09日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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