Variation of Surface Potentials of Si-Doped AlxGa1-xN (0
著者 (5件):
KUBO Toshiharu
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
TAKETOMI Hiroyuki
(Mie Univ., Tsu, JPN)
,
MIYAKE Hideto
(Mie Univ., Tsu, JPN)
,
HIRAMATSU Kazumasa
(Mie Univ., Tsu, JPN)
,
HASHIZUME Tamotsu
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
3
号:
2
ページ:
021004.1-021004.3
発行年:
2010年02月25日
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)