文献
J-GLOBAL ID:201102266491652659
整理番号:11A1882909
角度分解硬X線光電子分光法によるHfO2/Si/歪みGe/SiGe構造の評価
Study of HfO2/Si/strained-Ge/SiGe using Angle Resolved x-ray Photoelectron Spectroscopy
著者 (8件):
野平博司
(東京都市大 工)
,
小松新
(東京都市大 工)
,
那須賢太郎
(東京都市大 工)
,
星裕介
(東京都市大 工)
,
榑林徹
(東京都市大 工)
,
澤野憲太郎
(東京都市大 工)
,
MYRONOV Maksym
(Warwick大)
,
白木靖寛
(東京都市大 工)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
111
号:
249(SDM2011 97-114)
ページ:
37-41
発行年:
2011年10月13日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)