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文献
J-GLOBAL ID：201102290239843024
整理番号：11A1269876
窒素ラジカル曝露によるp-InP表面の表面状態密度分布の修飾
Modification of Surface State Density Distribution of p-InP Surfaces by Nitrogen Radical Exposure
YOSHIDA Toshiyuki
(Shimane Univ., Matsue, JPN)
,
HASHIZUME Tamotsu
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50 号： 7,Issue 1 ページ： 070209.1-070209.3 発行年： 2011年07月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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