文献
J-GLOBAL ID:201202244065781542
整理番号:12A0723236
オン状態バイアスストレスを受けたAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスターの非局在トラップ効果
Non-localized trapping effects in AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors subjected to on-state bias stress
著者 (2件):
HU Cheng-yu
(Res. Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Sci. and Technol. ...)
,
HASHIZUME Tamotsu
(Res. Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Sci. and Technol. ...)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
111
号:
8
ページ:
084504-084504-9
発行年:
2012年04月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)