文献
J-GLOBAL ID:201202269746157157
整理番号:12A0183732
抵抗変化型メモリ用Pt/NiO/Pt素子におけるフィラメント形成領域の特定とその評価
Investigation on filamentary conduction paths formed in Pt/NiO/Pt resistive switching cells
著者 (4件):
岩田達哉
(京大)
,
西佑介
(京大)
,
木本恒暢
(京大)
,
木本恒暢
(京大 光・電子理工学教育研究セ)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
111
号:
357(SDM2011 132-148)
ページ:
87-92
発行年:
2011年12月09日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)