文献
J-GLOBAL ID:201202290194171620
整理番号:12A0543252
SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析
Characterization and Analysis of Low-Frequency Noise in SiN Insulator-Gate GaAs Etched Nanowire FETs
著者 (3件):
村松徹
,
葛西誠也
,
谷田部然治
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
111
号:
426(SDM2011 159-175)
ページ:
89-93
発行年:
2012年01月31日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)