文献
J-GLOBAL ID:201302240772363406
整理番号:13A1222892
Si基板上への鉄酸化物ナノドットのエピタキシャル成長とその電子状態測定
Epitaxial growth of iron oxide nanodots on Si substrate and their electronic states
著者 (6件):
石部貴史
(大阪大 大学院基礎工学研究科)
,
中村芳明
(大阪大 大学院基礎工学研究科)
,
中村芳明
(JST-さきがけ)
,
松井秀紀
(大阪大 大学院基礎工学研究科)
,
竹内正太郎
(大阪大 大学院基礎工学研究科)
,
酒井朗
(大阪大 大学院基礎工学研究科)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
113
号:
87(SDM2013 44-64)
ページ:
51-55
発行年:
2013年06月11日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)