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文献
J-GLOBAL ID：201302286817438437
整理番号：13A1769475
非対称トンネル障壁を通して結合したSi量子ドット素子における伸長Coulombブロッケード領域の特性
The characteristic of elongated Coulomb-blockade regions in a Si quantum-dot device coupled via asymmetric tunnel barriers
LEE Sejoon
(Dep. of Semiconductor Sci., Dongguk University-Seoul, Seoul 100-715, KOR)
,
LEE Youngmin
(Dep. of Semiconductor Sci., Dongguk University-Seoul, Seoul 100-715, KOR)
,
SONG Emil B.
(Electrical Engineering Dep., Univ. of California, Los Angeles, California 90095, USA)
,
HIRAMOTO Toshiro
(Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, Tokyo 153-8505, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 114 号： 16 ページ： 164513-164513-7 発行年： 2013年10月28日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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