文献
J-GLOBAL ID:201402237849843402
整理番号:14A0877935
溶液成長法により作製したn-ZnO/p-CuOヘテロ接合の電気的特性の改善-中間層挿入と熱処理-
Improvement of Electrical Properties of n-ZnO/p-CuO Heterojunctions Prepared by Chemical Bath Deposition-Insertion of Intermediate Layer and Thermal Annealing-
著者 (4件):
寺迫智昭
(愛媛大)
,
村上聡宏
(愛媛大)
,
兵頭篤
(愛媛大 工)
,
白方祥
(愛媛大)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
114
号:
95(CPM2014 28-42)
ページ:
61-66
発行年:
2014年06月13日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)