文献
J-GLOBAL ID:201402241701725122
整理番号:14A0146102
SRAMのための製造後の自己改善方式の下でのPFETのNBTIの信頼性
NBTI Reliability of PFETs under Post-Fabrication Self-Improvement Scheme for SRAM
著者 (5件):
ALIAS Nurul Ezaila
(Univ. of Tokyo, Tokyo, JPN)
,
KUMAR Anil
(Univ. of Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SARAYA Takuya
(Univ. of Tokyo, Tokyo, JPN)
,
MIYANO Shinji
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center (STARC), Yokohama-shi, JPN)
,
HIRAMOTO Toshiro
(Univ. of Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名:
IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
(IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
E96-C
号:
5
ページ:
620-623
発行年:
2013年05月01日
JST資料番号:
L1370A
ISSN:
0916-8524
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)