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文献
J-GLOBAL ID:201402279744978943   整理番号:14A1448767

3D多積層WOW応用のための40nmノード2Gb DRAMによって証明された300mmウエハを用いた4μmまでの超薄層化

Ultra Thinning down to 4-μm using 300-mm Wafer proven by 40-nm Node 2Gb DRAM for 3D Multi-stack WOW Applications
著者 (17件):
KIM Y.S.
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
KIM Y.S.
(DISCO Corp., Tokyo, JPN)
KODAMA S.
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
KODAMA S.
(DISCO Corp., Tokyo, JPN)
MIZUSHIMA Y.
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
MIZUSHIMA Y.
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
MAEDA N.
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
MAEDA N.
(DISCO Corp., Tokyo, JPN)
KITADA H.
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
KITADA H.
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
FUJIMOTO K.
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
FUJIMOTO K.
(Dai Nippon Printing Co. Ltd., Chiba-ken, JPN)
NAKAMURA T.
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
SUZUKI D.
(PEZY Computing Ltd., Tokyo, JPN)
KAWAI A.
(DISCO Corp., Tokyo, JPN)
ARAI K.
(DISCO Corp., Tokyo, JPN)
OHBA T.
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)

資料名:
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)

巻: 2014  ページ: 22-23  発行年: 2014年 
JST資料番号: A0035B  ISSN: 0743-1562  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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