文献
J-GLOBAL ID:201502200591745882
整理番号:15A0937249
極薄Al2O3/SiO2 hybrid BOX層を有する貼り合わせGeOI基板の熱処理による電気特性改善
Improvements of electrical properties of wafer-bonded GeOI substrates with ultrathin Al2O3/SiO2 hybrid BOX layers by post-annealing
著者 (4件):
吉田啓資
(大阪大 大学院)
,
竹内正太郎
(大阪大 大学院)
,
中村芳明
(大阪大 大学院)
,
酒井朗
(大阪大 大学院)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
115
号:
108(SDM2015 38-56)
ページ:
81-86
発行年:
2015年06月12日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)