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J-GLOBAL ID：201602215369855534 整理番号：16A0281680

Si(001)上の3C-SiCエピ膜形成および積層欠陥生成過程の断面TEM解析

著者 (4件)：

山崎順

(阪大電顕セ)

石田篤志

(名古屋大工)

秋山賢輔

(神奈川県産技セ)

平林康男

(神奈川県産技セ)

資料名：

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))

巻： 63rd ページ： ROMBUNNO.20P-H101-1 発行年： 2016年03月03日
JST資料番号： Y0054B ISSN： 2436-7613 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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