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文献
J-GLOBAL ID:201602248332754661   整理番号:16A1224165

Si/SiGe多重量子ドットの形成と電荷状態測定

著者 (14件):
大塚朋廣
(理研 CEMS)
武田健太
(理研 CEMS)
米田淳
(理研 CEMS)
本田拓夢
(東京工大)
DELBECQ Matthieu
(理研 CEMS)
ALLISON Giles
(理研 CEMS)
MARX Marian
(理研 CEMS)
中島峻
(理研 CEMS)
小寺哲夫
(東京工大)
小田俊理
(東京工大)
星裕介
(東大 生産技研)
宇佐美徳隆
(名古屋大 工)
伊藤公平
(慶応大)
樽茶清悟
(理研 CEMS)

資料名:
日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))

巻: 71  号:ページ: ROMBUNNO.15aAB-10  発行年: 2016年09月23日 
JST資料番号: S0671C  ISSN: 2189-079X  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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