文献
J-GLOBAL ID:201602251013871339
整理番号:16A0697664
非常に狭いメサ構造をもつSi-IGBTのスケーリング極限について【Powered by NICT】
On the scaling limit of the Si-IGBTs with very narrow mesa structure
著者 (7件):
Eikyu Katsumi
(Renesas Electronics Corp., Hitachinaka, Ibaraki, Japan)
,
Sakai Atsushi
(Renesas Electronics Corp., Hitachinaka, Ibaraki, Japan)
,
Matsuura Hitoshi
(Renesas Semiconductor Manufacturing Corp., Hitachinaka, Ibaraki, Japan)
,
Nakazawa Yoshito
(Renesas Semiconductor Manufacturing Corp., Hitachinaka, Ibaraki, Japan)
,
Akiyama Yutaka
(Renesas Electronics Corp., Hitachinaka, Ibaraki, Japan)
,
Yamaguchi Yasuo
(Renesas Electronics Corp., Hitachinaka, Ibaraki, Japan)
,
Inuishi Masahide
(Renesas Electronics Corp., Hitachinaka, Ibaraki, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
ISPSD
ページ:
211-214
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)