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文献
J-GLOBAL ID:201602254125815597   整理番号:16A1006974

室温転位関連ルミネセンスによるSi:Si LEDs

Si:Si LEDs with room-temperature dislocation-related luminescence
著者 (10件):
Sobolev N. A.
(Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia)
Kalyadin A. E.
(Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia)
Konovalov M. V.
(Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia)
Aruev P. N.
(Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia)
Zabrodskiy V. V.
(Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia)
Shek E. I.
(Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia)
Shtel’makh K. F.
(Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia)
Shtel’makh K. F.
(Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia)
Mikhaylov A. N.
(Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia)
Tetel’baum D. I.
(Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia)

資料名:
Semiconductors  (Semiconductors)

巻: 50  号:ページ: 240-243  発行年: 2016年02月 
JST資料番号: T0093A  ISSN: 1063-7826  CODEN: SMICES  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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