文献
J-GLOBAL ID:201602261691940855
整理番号:16A0804552
新規1トランジスタ抵抗ゲート不揮発性メモリ【Powered by NICT】
A novel one transistor resistance-gate nonvolatile memory
著者 (4件):
Chung Steve S.
(Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Taiwan)
,
Hsieh E. R.
(Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Taiwan)
,
Yang S. P.
(Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Taiwan)
,
Chuang C. H.
(Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Taiwan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
DRC
ページ:
1-2
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)