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文献
J-GLOBAL ID：201602275657567907
整理番号：16A1190973
触媒酸化を用いたMoS2電界効果トランジスタ(FET)の両極性挙動
Ambipolar behavior in MoS2 field effect transistors by using catalytic oxidation
Choi J. H.
(School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul 136-701, South Korea)
,
Jang H.-K.
(School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul 136-701, South Korea)
,
Jin J. E.
(School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul 136-701, South Korea)
,
Shin J. M.
(School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul 136-701, South Korea)
,
Kim D.-H.
(School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul 136-701, South Korea)
,
Kim G.-T.
(School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul 136-701, South Korea)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 109 号： 18 ページ： 183102-183102-5 発行年： 2016年10月31日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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