文献
J-GLOBAL ID:201602291961847994
整理番号:16A0585692
110GHz帯域幅を持つ高出力フリップチップ結合フォトダイオード【Powered by NICT】
High-Power Flip-Chip Bonded Photodiode With 110 GHz Bandwidth
著者 (7件):
Qinglong Li
(Dept. of Electr. & Comput. Eng., Univ. of Virginia, Charlottesville, VA, USA)
,
Kejia Li
(Dept. of Electr. & Comput. Eng., Univ. of Virginia, Charlottesville, VA, USA)
,
Yang Fu
(Dept. of Electr. & Comput. Eng., Univ. of Virginia, Charlottesville, VA, USA)
,
Xiaojun Xie
(Dept. of Electr. & Comput. Eng., Univ. of Virginia, Charlottesville, VA, USA)
,
Zhanyu Yang
(Dept. of Electr. & Comput. Eng., Univ. of Virginia, Charlottesville, VA, USA)
,
Beling Andreas
(Dept. of Electr. & Comput. Eng., Univ. of Virginia, Charlottesville, VA, USA)
,
Campbell Joe C.
(Dept. of Electr. & Comput. Eng., Univ. of Virginia, Charlottesville, VA, USA)
資料名:
Journal of Lightwave Technology
(Journal of Lightwave Technology)
巻:
34
号:
9
ページ:
2139-2144
発行年:
2016年
JST資料番号:
H0922A
ISSN:
0733-8724
CODEN:
JLTEDG
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)