前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702210540842905
整理番号：17A0852228
AlGaN/GaN/AlGaN二重ヘテロ構造を用いたエンハンスメントモードGaN系H EMTの電流コラプスの抑制【Powered by NICT】
Suppression of Current Collapse in Enhancement Mode GaN-Based HEMTs Using an AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterostructure
Ho Shin-Yi
(Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)
,
Lee Chun-Hsun
(Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)
,
Tzou An-Jye
(Institute of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Kuo Hao-Chung
(Institute of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Wu Yuh-Renn
(Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)
,
Huang JianJang
(Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64 号： 4 ページ： 1505-1510 発行年： 2017年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。