文献
J-GLOBAL ID:201702210974130283
整理番号:17A0362499
アンクランプ誘導スイッチングのもとでのパンチスルーIGBTの破壊現象の数値的研究【Powered by NICT】
Numerical study of destruction phenomena for punch-through IGBTs under unclamped inductive switching
著者 (5件):
Tamaki T.
(Storage & Electronic Devices Solutions Company, Toshiba Corp., 1-1 Iwauchi, Nomi, Ishikawa 923-1293, Japan)
,
Yabuuchi Y.
(Storage & Electronic Devices Solutions Company, Toshiba Corp., 1-1 Iwauchi, Nomi, Ishikawa 923-1293, Japan)
,
Izumi M.
(Storage & Electronic Devices Solutions Company, Toshiba Corp., 1-1 Iwauchi, Nomi, Ishikawa 923-1293, Japan)
,
Yasuhara N.
(Storage & Electronic Devices Solutions Company, Toshiba Corp., 1-1 Iwauchi, Nomi, Ishikawa 923-1293, Japan)
,
Nakamura K.
(Storage & Electronic Devices Solutions Company, Toshiba Corp., 1-1 Iwauchi, Nomi, Ishikawa 923-1293, Japan)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
64
ページ:
469-473
発行年:
2016年
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)