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文献
J-GLOBAL ID：201702211045083958
整理番号：17A0365348
正方晶タングステンブロンズ型構造をもつGdK_2Nb_5O_15エピタキシャル薄膜におけるバイポーラ抵抗スイッチングと基板効果【Powered by NICT】
Bipolar resistive switching and substrate effect in GdK2Nb5O15 epitaxial thin films with tetragonal tungsten bronze type structure
Allouche B.
(LPMC, Universite de Picardie Jules Verne, 33 rue Saint Leu, 80039 Amiens Cedex, France)
,
Gagou Y.
(LPMC, Universite de Picardie Jules Verne, 33 rue Saint Leu, 80039 Amiens Cedex, France)
,
Le Marrec F.
(LPMC, Universite de Picardie Jules Verne, 33 rue Saint Leu, 80039 Amiens Cedex, France)
,
Fremy M.-A.
(IM2NP, Universite du Sud Toulon Var, Avenue de l’Univ., 83957 La Garde Cedex, France)
,
El Marssi M.
(LPMC, Universite de Picardie Jules Verne, 33 rue Saint Leu, 80039 Amiens Cedex, France)
資料名：
Materials & Design
(Materials & Design)
巻： 112 ページ： 80-87 発行年： 2016年
JST資料番号： A0495B ISSN： 0264-1275 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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