文献
J-GLOBAL ID:201702217522334278
整理番号:17A0885713
高k SiGeにおける優れたNBTI Iトランジスタその実験【Powered by NICT】
Superior NBTI in High- $k$ SiGe Transistors-Part I: Experimental
著者 (10件):
Waltl M.
(Institute for Microelectronics, TU Wien, Vienna, Austria)
,
Rzepa G.
(Institute for Microelectronics, TU Wien, Vienna, Austria)
,
Grill A.
(Institute for Microelectronics, TU Wien, Vienna, Austria)
,
Goes W.
(Institute for Microelectronics, TU Wien, Vienna, Austria)
,
Franco J.
(imec, Leuven, Belgium)
,
Kaczer B.
(imec, Leuven, Belgium)
,
Witters L.
(imec, Leuven, Belgium)
,
Mitard J.
(imec, Leuven, Belgium)
,
Horiguchi N.
(imec, Leuven, Belgium)
,
Grasser T.
(Institute for Microelectronics, TU Wien, Vienna, Austria)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
64
号:
5
ページ:
2092-2098
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)