文献
J-GLOBAL ID:201702223446866564
整理番号:17A0132719
InAlN/GaNおよびAlGaN/GaNの金属-絶縁体-半導体ヘテロ接合構造の三元誘電体ゲート絶縁膜のための,原子層堆積法によるTiO2へのAlもしくはHfの取り込み
Incorporation of Al or Hf in atomic layer deposition TiO2 for ternary dielectric gate insulation of InAlN/GaN and AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor-heterojunction structure
著者 (4件):
Colon Albert
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois at Chicago, Suite 1020 SEO, 10th Floor, 851 S Morgan St., Chicago, Illinois 60607)
,
Stan Liliana
(Center for Nanoscale Materials, Argonne National Laboratory, 9700 S-Cass Ave, Argonne, Illinois 60439)
,
Divan Ralu
(Center for Nanoscale Materials, Argonne National Laboratory, 9700 S-Cass Ave, Argonne, Illinois 60439)
,
Shi Junxia
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois at Chicago, Suite 1020 SEO, 10th Floor, 851 S Morgan St., Chicago, Illinois 60607)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films
(Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻:
35
号:
1
ページ:
01B132-01B132-6
発行年:
2017年01月
JST資料番号:
C0789B
ISSN:
0734-2101
CODEN:
JVTAD6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)