文献
J-GLOBAL ID:201702227098013748
整理番号:17A0158773
GaAs/AlGaAs量子井戸における光ゲーティングを介した電子スピン緩和異方性の調整【Powered by NICT】
Tuning of the Electron Spin Relaxation Anisotropy via Optical Gating in GaAs/AlGaAs Quantum Wells
著者 (5件):
Niu Binghui
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Yan Tengfei
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Ni Haiqiao
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Niu Zhichuan
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Zhang Xinhui
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
資料名:
Chinese Physics Letters
(Chinese Physics Letters)
巻:
33
号:
10
ページ:
107802_01-107802_04
発行年:
2016年
JST資料番号:
W1191A
ISSN:
0256-307X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)