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J-GLOBAL ID:201702227098013748   整理番号:17A0158773

GaAs/AlGaAs量子井戸における光ゲーティングを介した電子スピン緩和異方性の調整【Powered by NICT】

Tuning of the Electron Spin Relaxation Anisotropy via Optical Gating in GaAs/AlGaAs Quantum Wells
著者 (5件):
Niu Binghui
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
Yan Tengfei
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
Ni Haiqiao
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
Niu Zhichuan
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
Zhang Xinhui
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)

資料名:
Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)

巻: 33  号: 10  ページ: 107802_01-107802_04  発行年: 2016年 
JST資料番号: W1191A  ISSN: 0256-307X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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