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文献
J-GLOBAL ID：201702229740153815
整理番号：17A0854863
液相成長により成長させた両性不純物GeをドープしたGaSe結晶の電気的性質と構造解析【Powered by NICT】
Electrical property and structural analysis of amphoteric impurity Ge doped GaSe crystal grown by liquid phase growth
Sato Y.
(Department of Materials Science and Engineering, Tohoku University, Aramaki-Aza Aoba 6-6-11-1021, Sendai 980-8579, Japan)
,
Zhao S.
(Department of Materials Science and Engineering, Tohoku University, Aramaki-Aza Aoba 6-6-11-1021, Sendai 980-8579, Japan)
,
Maeda K.
(Department of Materials Science and Engineering, Tohoku University, Aramaki-Aza Aoba 6-6-11-1021, Sendai 980-8579, Japan)
,
Tanabe T.
(Department of Materials Science and Engineering, Tohoku University, Aramaki-Aza Aoba 6-6-11-1021, Sendai 980-8579, Japan)
,
Oyama Y.
(Department of Materials Science and Engineering, Tohoku University, Aramaki-Aza Aoba 6-6-11-1021, Sendai 980-8579, Japan)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 467 ページ： 34-37 発行年： 2017年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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