文献
J-GLOBAL ID:201702233320036884
整理番号:17A0633161
原子層堆積法によるHfO2を有するAlGaN/GaN金属酸化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタに及ぼす酸素プラズマ処理の影響 漏れ電流と状態密度の低減
Influence of oxygen-plasma treatment on AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with HfO2 by atomic layer deposition: leakage current and density of states reduction
著者 (11件):
STOKLAS R
(Inst. of Electrical Engineering, Slovak Acad. of Sci., Bratislava, SVK)
,
STOKLAS R
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
GREGUSOVA D
(Inst. of Electrical Engineering, Slovak Acad. of Sci., Bratislava, SVK)
,
BLAHO M
(Inst. of Electrical Engineering, Slovak Acad. of Sci., Bratislava, SVK)
,
FROEHLICH K
(Inst. of Electrical Engineering, Slovak Acad. of Sci., Bratislava, SVK)
,
NOVAK J
(Inst. of Electrical Engineering, Slovak Acad. of Sci., Bratislava, SVK)
,
MATYS M
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
MATYS M
(Silesian Univ. Technol., Gliwice, POL)
,
YATABE Z
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
KORDOS P
(Slovak Technical Univ., Bratislava, SVK)
,
HASHIZUME T
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
32
号:
4
ページ:
045018,1-8
発行年:
2017年04月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)