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文献
J-GLOBAL ID：201702237701260737
整理番号：17A0214155
MVSGコンパクトデバイスモデルを用いたGaNH EMT技術のRF回路線形性性能の研究【Powered by NICT】
Study of RF-circuit linearity performance of GaN HEMT technology using the MVSG compact device model
Radhakrishna Ujwal
(Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA 02139, USA)
,
Choi Pilsoon
(Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA 02139, USA)
,
Grajal Jesus
(Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA 02139, USA)
,
Peh Li-Shiuan
(Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA 02139, USA)
,
Palacios Tomas
(Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA 02139, USA)
,
Antoniadis Dimitri
(Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA 02139, USA)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： IEDM ページ： 3.7.1-3.7.4 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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