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文献
J-GLOBAL ID：201702242556913515
整理番号：17A0755429
低k SiCOH誘電体故障分布の根本原因を決定するための方法【Powered by NICT】
Method to Determine the Root Cause of Low- $¥kappa$ SiCOH Dielectric Failure Distributions
Ogden Sean P.
(GLOBALFOUNDRIES, Malta, NY, USA)
,
Yeap Kong Boon
(GLOBALFOUNDRIES, Malta, NY, USA)
,
Shen Tian
(GLOBALFOUNDRIES, Malta, NY, USA)
,
Justison Patrick
(GLOBALFOUNDRIES, Malta, NY, USA)
,
Lu Toh-Ming
(Physics Department, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY, USA)
,
Plawsky Joel L.
(Howard P. Isermann Chemical and Biological Engineering Department, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 38 号： 1 ページ： 119-122 発行年： 2017年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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